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SVG031R1NL5  N溝道增強型功率MOS場效應晶體管采用士蘭的LVMOS 工藝技術制造。先進的工藝及元胞結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。

該產品可廣泛應用于不間斷電源及逆變器系統的電源管理領域。
 

特性

• 229A，30V，RDS(on)（典型值）=0.8mW@VGS=10V
• 低柵極電荷
• 低反向傳輸電容
• 開關速度快
• 提升了dv/dt 能力
• 100%雪崩測試
• 無鉛管腳鍍層
• 符合RoHS環保標準

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